Samsung julkisti UFS 5.0 -tallennusmuistiratkaisunsa – lupaa jopa tuplasti paremman suorituskyvyn

Samsung UFS 5.0.

Samsung on julkistanut uuden Universal Flash Storage 5.0 -tallennusratkaisunsa, jonka parantunut suorituskyky avittaa muun muassa tekoälymallien paikallista ajamista laitteissa.

Samsungin mukaan sen UFS 5.0 -muistiratkaisu perustuu uusimpiin JEDECin sulautettujen muistien rajapintastandardeihin.

UFS 5.0 -muisti yltää jopa 10,8 gigatavun sekunnissa tapahtuvaan peräkkäiseen lukunopeuteen ja jopa 9,5 gigatavun sekunnissa kirjoitusnopeuteen.

Tämä tarkoittaa yli kaksinkertaista parannusta UFS 4.1 -standardiin verrattuna.

Käytännössä nopeampi tallennus voi vähentää viivettä tilanteissa, joissa laite joutuu lukemaan suuria määriä dataa nopeasti. Tämä on tärkeää esimerkiksi paikallisille kielimalleille, kuvan- ja videonkäsittelylle, tekoälypohjaisille hakutoiminnoille ja monimutkaisille sovelluksille, jotka käyttävät paljon mallidataa ja välimuistia.

UFS 5.0:n suurempi kaistanleveys voi auttaa tekemään paikallisista tekoälytoiminnoista nopeampia ja responsiivisempia.

Samalla Samsung kertoo UFS 5.0:n parantavan energiatehokkuutta 40 prosentilla UFS 4.1:een verrattuna. Parannus perustuu muun muassa clock gating- ja multi-voltage-teknologioihin, joiden tarkoituksena on vähentää virrankulutusta datansiirron aikana.

UFS 5.0 -ratkaisun mitat ovat Samsungin mukaan 7,5 x 13 x 0,9 millimetriä. Fyysinen koko on 16,7 prosenttia pienempi kuin UFS 4.1:ssä.

Tallennuskapasiteetti piiriä kohden nousee enimmillään yhteen teratavuun, eli maksimikapasiteetti pysyy UFS 4.1:n tasolla.

Samsung aikoo aloittaa UFS 5.0 -piirien massatuotannon tämän vuoden neljännellä neljänneksellä. Yhtiö suunnittelee tarjoavansa ratkaisua useissa eri kapasiteeteissa.

Laitteisiin UFS 5.0 -tyypin tallennusmuistia odotetaan laajemmin vuoden 2027 aikana.

Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla