Qualcomm vahvisti: Snapdragon Summit 22.-24. syyskuuta tänä vuonna – luvassa uusien Snapdragon-huippupiirien julkistus

Qualcomm järjestää Snapdragon Summit -tapahtuman 22.-24. syyskuuta Havaijilla.

Qualcomm on vahvistanut järjestävänäsä vuotuisen julkistustapahtumansa Snapdragon Summitin tänä vuonna 22.-24. syyskuuta. Tapahtuma järjestetään perinteiseen tapaan Havaijilla.

Snapdragon Summitissa odotettavissa on muun muassa Qualcommin seuraavan sukupolven huipputason Snapdragon-mobiilipiirien julkistus. Mahdollista on myös seuraavan sukupolven tietokonepiirien julkistus.

Seuraavan sukupolven mobiilipiirien osalta Qualcommin on huhuttu ensimmäistä kertaa olevan tuomassa tarjolle huippupiirinsä kahtena versiona, tehokkaana perusversiona sekä vielä parempana toisena versiona, joka on huhuissa ristitty toistaiseksi Pro-lisänimellä.

Näin tulevan huippupiirinsä kahdella versiolla, Snapdragon 8 Elite Gen 6:lla ja Snapdragon 8 Elite Gen 6 Prolla, Qualcomm on segmentoimassa uudella tavalla huippuluokan tarjontaansa.

Molempien Snapdragon 8 Gen 6 -piirien odotetaan olevan valmistettu TSMC:n 2 nanometrin N2P-valmistusprosessilla ja sisältävän Qualcommin Oryon-keskussuorittimen 2+3+3-ydinjärjestelyllä.

Nykyinen Snapdragon 8 Elite Gen 5 valmistetaan vielä 3 nanometrin prosessilla ja sisältää edeltäjänsä Snapdragon 8 Eliten tavoin kahdesta huipputehoytimestä ja kuudesta tehoytimestä koostuvan keskussuorittimen.

Huhun mukaan Snapdragon 8 Elite Gen 6:n ja Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pron väliltä erot löytyisivät kellotaajuuksista ja erityisesti grafiikkasuorittimen suorituskyvystä.  Huhuissa Snapdragon 8 Elite Gen 6 Prohon on povattu Adreno 850 -grafiikkasuoritinte 18 megatavun muistilla, kun Snapdragon 8 Elite Gen 6:ssa olisi Adreno 845 -grafiikkasuoritin 12 megatavun muistilla. Lisäksi vain Pro-versio on tuomassa uutuutena tuen suorituskykyisemmälle LPDDR6-käyttömuistille, jonka lisäksi tuettuna olisi edelleen myös vanhempi (ja edullisempi) LPDDR5X.

Molemmista Snapdragon 8 Elite Gen 6 -piireistä saattaa löytyä tuki suorituskykyisemmälle UFS 5.0 -tallennusmuistille.

Aiemman vuodon perusteella ainakin Pro-huippuversioissa voidaan hyödyntää myös Samsungin kehittämää HPB- eli Heat Pass Block -ratkaisua jäähdytyksen tehostamiseksi. Samsungin HPB-ratkaisu on osa piirin paketointia ja ohjaa lämpöä pois piiriltä. Samsung itse käyttää sitä jo viimeisimmässä Exynos 2600 -huippupiirissään.

Paljastuneiden tietojen mukaan Snapdragon 8 Elite Gen 6:n mallikoodi on SM8950 ja Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pron SM8975.

Yksi syy Qualcommin päätökseen tuoda tarjolle kaksi Snapdragon 8 Elite Gen 6 -versiota saattaa löytyä kustannuksista, sillä Pro-version kanssa käytettävistä LPDDR6-muisteista odotetaan huomattavasti kalliimpia – erityisesti vielä nykyisessä kireässä markkinatilanteessa, jossa muistikustannusten nousu on ollut muutenkin esillä.

Myös itse Snapdragon 8 Elite Gen 6 -piirien odotetaan olevan entistä kalliimpia uuden valmistusprosessin myötä.

Ensimmäisiä puhelimia Snapdragon 8 Elite Gen 6 -piireillä odotetaan saataville jo loppuvuoden aikana, alkaen aivan ensimmäisten osalta pian piirien julkistuksen jälkeen.

Snapdragon 8 Elite Gen 6 -piirien ohella huhuissa on mainittu myös uusi Snapdragon 8 Gen 5 Pro sekä ”Snapdragon 8 Elite Gen 5XX”, joista ei ole vielä enempää tietoa. Nämä nykyistä piirisukupolvea laajentavat vaihtoehdot julkistettaneen muuten kuin Snapdragon Summitin yhteydessä.

Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla