Tätä nykyä vain Samsung kisaa taiwanilaisen TSMC:n kanssa kehittyneimpien piirien valmistamisesta. Nyt Samsung on omalta osaltaan kertonut tulevien vuosien suunnitelmistaan uusien tuotantoprosessien suhteen.
Samsung Foundry kertoi suunnittelemistaan aikatauluista vuotuisessa Samsung Foundry Forum -tapahtumassa.
MAINOS (ARTIKKELI JATKUU ALLA)
Samsungin 2 nanometrin tuotantoprosessi SF2 on suunnitelmissa vuodelle 2025 ja sitä seuraava 1,4 nanometrin tuotantoprosessi SF1.4 puolestaan vuodelle 2027.
Pienempi viivanleveys merkitsee tavanomaisesti pienempää virrankulutusta ja/tai parempaa suorituskykyä, mutta samalla pienempien viivanleveyksien toteuttaminen käy jatkuvasti hankalammaksi. Ensimmäiset 3 nanometrin piirit ovat tulossa käyttöön tuotteissa vasta tämän vuoden aikana.
Samsungin mukaan SF2-prosessiteknolgoia tulee tarjoamaan 25 prosenttia paremman energiatehokkuuden tai 12 prosenttia paremman suorituskyvyn verrattuna Samsungin 3 nanometrin SF3-prosessiteknologiaan. Lisäksi pinta-alassa nähdään 5 prosentin vähennys.
MAINOS (ARTIKKELI JATKUU ALLA)
Samsungin SF2-prosessia on seuraamassa vuonna 2026 SF2P-prosessi, joka on suunnattu HPC- eli high performance computing -laitteisiin eli suorituskykyisiin tietokoneisiin. Luvassa on myös vuonna SF2A-prosessi, jolla on tarkoitus valmistaa piirejä autoteollisuuden tarpeisiin.
TSMC on myös aiemmin kertonut aloittavansa 2 nanometrin N2-prosessinsa tuotannon suunnitelmien mukaan vuonna 2025.
Samsung Foundry kertoi tapahtumansa yhteydessä myös pysyvänsä sitoutuneena laajentamaan puolijohdetehtaitaan Pyeongtaekissa, Etelä-Koreassa sekä Yhdysvaloissa Taylorissa, Texasissa. Etelä-Korean tehtaan kolmoslinjalla tuotannon on tarkoitus alkaa vuoden 2023 toisella puoliskolla, kun taas Yhdysvalloissa rakennustöiden pitäisi alkaa tänä vuonna ja toiminnan vuoden 2024 toisella puoliskolla.
Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla
Salasana hukassa?
Etkö ole vielä rekisteröitynyt? Rekisteröidy tästä »