Samsung ja Broadcom laajentavat tekoälypiiriyhteistyötä: sopivat 200 miljardin dollarin diilin

Broadcom + Samsung.

Samsung Electronics ja Broadcom ovat allekirjoittaneet aiesopimuksen strategisen yhteistyön laajentamisesta muistipiireissä, puolijohdevalmistuksessa ja edistyneessä piirien paketoinnissa. Sopimus julkistettiin San Franciscossa järjestetyssä AI Summit -tapahtumassa.

Yhteistyön arvioitu arvo ylittää 200 miljardia dollaria vuoteen 2030 mennessä.

Kumppanuuden tavoitteena on vastata seuraavan sukupolven tekoälyinfrastruktuurin kasvaviin vaatimuksiin.

Yhteistyön myötä Samsung toimittaa Broadcomille seuraavan sukupolven High Bandwidth Memory (HBM) -muisteja, jotka ovat keskeisessä roolissa tekoälykiihdyttimissä.

Broadcom kehittää räätälöityjä tekoälykiihdyttimiä ja verkkopiirejä datakeskuksiin. Samsungin HBM-ratkaisut on tarkoitus integroida Broadcomin seuraavan sukupolven tekoälykiihdyttimiin.

Lisäksi yhteistyö keskittyy Samsungin 2 nanometrin ja alle 2 nanometrin prosessiteknologioihin. Samsungin on tarkoitus valmistaa Broadcomin piirejä näillä kärkitason valmistusprosesseilla.

Lisäksi sopimus kattaa myös Broadcomin Wireless Broadband Communications -ratkaisuja.

Yksi sopimuksen keskeisistä osista on edistynyt piirien paketointi. Samsung ja Broadcom aikovat hyödyntää 2.3D- ja 2.5D-integraatioarkkitehtuureja, jotka perustuvat 2 nanometrin prosessille. Uusilla pakkausratkaisuilla voidaan yhdistää logiikka- ja muistipiirejä erittäin tiiviisti. Tavoitteena on kasvattaa kaistanleveyttä, pienentää virrankulutusta ja parantaa suorituskykyä tekoäly- ja verkkopiireissä.

Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla