Älypuhelinten muistikapasiteetit ovat jämähtäneet toistaiseksi enimmillään 64 gigatavuun – 128 gigatavun muistilla varustettuja älypuhelimia ei markkinoilla ole nähty.
Uusi teknologia tunnetaan kolmiulotteisena V-NAND-muistina. 3D-kasaus mahdollistaa jopa muistisirujen kokoamisen päällekkäin aiempaa tehokkaammin ilman, että kokonaisuudesta tulisi liian paksu ohuisiin älypuhelimiin. 24 sirulla saavutetaan jopa 384 gigatavun tallennusmuistikapasiteetti, sillä yksi siru sisältää tallennuskapasiteettia 128 gigabittiä eli 16 gigatavua. Todennäköisesti lähiaikoina ensin noustaan kuitenkin neljällä sirulla 128 gigatavuun. Samalla tietenkin edullisempiin, pienemmillä sirumuistimäärillä varustettuihin, älypuhelimiin on tulossa lisää kapasiteettia.
MAINOS (ARTIKKELI JATKUU ALLA)
Suuremman tallennuskapasiteetin mahdollistamisen lisäksi uudessa teknologiassa pitäisi olla myös muita etuja: Samsungin mukaan luotettavuus on 2-10-kertainen perinteiseen nähden ja kirjoitusnopeuskin tuplasti vikkelämpi.
Samsung on jo aloittanut uusien muistipiirien massatuotannon ja laitteisiin ne löytävät tiensä aluksi muutaman sirun toteutuksina luultavasti jo lähiaikoina. Samsung kertoo kehittäneensä uutta teknologiaa yli 10 vuoden ajan ja omaavansa yli 300 patenttia 3D-muistiteknologioihin liittyen.
Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla
Salasana hukassa?
Etkö ole vielä rekisteröitynyt? Rekisteröidy tästä »