Samsung Electronics on kertonut aloittaneensa järjestelmäpiiren massituotannon uudella 10 nanometrin FinFET-tuotantoprosessilla.
Samsungin mukaan se siirtyi uuteen tuotantoprosessiin nyt ensimmäisenä maailmassa. Uudessa prosessissa hyödynnetään 3D-transistorirakennetta.
Samsung Galaxy S8
- Android
- Lasi + alumiini
- 5,8" Super AMOLED + HDR -näyttö
- Sormenjälkilukija takana Iirisskanneri
- 12 Mpiks. kamera
- Samsung Exynos 8895 Octa -piiri
- 3000 mAh akku
Kuten yleensäkin, myös uusi 10 nanometrin tuotantoprosessi vähentää lämmöntuotantoa ja osittain näin mahdollistaa myös korkeamman suorituskyvyn. Samsungin mukaan aiempaan 14 nanometrin tuotantoprosessiin nähden 10 nanometrillä säästyy 30 prosenttia piirin pinta-alasta, ja suorituskyky kasvaa 27 prosentilla tai virrankulutus vähentyy 40 prosentilla.
MAINOS (ARTIKKELI JATKUU ALLA)
Myöhemmin vuoden 2017 toisella neljänneksellä Samsung lupaa vielä parannettua toisen sukupolven versiota 10 nanometrin prosessista
Samsung kertoo uudella 10 nanometrin tuotantoprosessilla varustettujen laitteiden tulevan markkinoille varhain ensi vuonna ja laajemmin vuoden 2017 aikana.
Samsungin oman Exynos 8895 -piirin ja Qualcommin Snapdragon 830:n odotetaan olevan ensimmäisiä 10 nanometrin tuotantoprosessilla valmistettuja. Niitä molempia odotetaan myös Samsungin tulevaan omaan Galaxy S8 -huippupuhelimeen.
Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla
Salasana hukassa?
Etkö ole vielä rekisteröitynyt? Rekisteröidy tästä »