Qualcomm vahvisti jo ennakkoon: älypuhelinten seuraava Snapdragon-huippupiiri rikkoo 5 gigahertsin rajan

Qualcommin tulevat huippupiirit sisältävät uudistuneen Oryon-keskussuorittimen sekä uuden välimuistiratkaisun.

Qualcommin on julkistamassa seuraavan sukupolven huipputason Snapdragon-järjestelmäpiirinsä 22.-24. syyskuuta Snapdragon Summit -tapahtumassa.

Aiemmin Qualcomm vahvisti jo sen uuden 8 Elite -sarjan huippupiirin tulevan ensi kertaa kahtena versiona.

Nyt Qualcomm on kertonut seuraavan Snapdragon-huippupiirinsä uudesta Oryon-keskussuorittimesta, joka Qualcommin mukaan on ensimmäinen mobiilisuoritin, joka yltää 5 gigahertsin kellotaajuuteen.

Nykyisessä Snapdragon 8 Elite Gen 5:ssä keskussuorittimen kellotaajuus yltää korkeimmillaan 4,61 gigahertsiin tai toisessa, muun muassa Samsungin käyttämässä versiossa, 4,74 gigahertsiin.

Qualcommin julkaiseman kaavion perusteella seuraavan huipputason järjestelmäpiirin Oryon-keskussuoritin sisältää kahdeksan ydintä, joista kaksi on Prime-huipputehoytimiä ja kuusi Performance-tehoytimiä.

Viimeksi mainitut saattavat vielä jakaantua kahteen eri kellotaajuuteen, sillä vuotaja Digital Chat Stationin mukaan Qualcommin tuleva huippupiiri sisältäisi kaksi 5,01 gigahertsin, kolme 4,03 gigahertsin ja kolme 3,74 gigahertsin ydintä.

Qualcomm ei ole vielä vahvistanut tulevien järjestelmäpiiriensä nimiä, mutta huhujen mukaan Snapdragon 8 Elite Gen 6 saisi rinnalleen huippuversiona Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6:n. Elite Extreme -lisänimi vastaa Qualcommin tietokonepiireissä aiemmin nähtyä nimeämistä.

Qualcommin mukaan 5 gigahertsin kellotaajuuden saavuttaminen ei perustu pelkästään uudempaan valmistusprosessiin. Taustalla on täysin räätälöity rakenne aina mikroarkkitehtuurista keskussuorittimen alijärjestelmään ja muihin toteutuksiin asti.

Korkean kellotaajuuden rinnalla Qualcomm lupaa myös korkeaa IPC-suorituskykyä, eli suoritettujen käskyjen määrää yhtä kellojaksoa kohden.

Uuteen Oryon-arkkitehtuuriin kuuluu suuri L1-välimuisti jokaisessa ytimessä sekä osaksi keskussuoritinkokonaisuutta sijoitettu L2-välimuisti.

Merkittävä tekninen uudistus on Qualcomm Oryon FlexCache, jonka avulla erilaiset suoritinytimet voivat käyttää samaa välimuistia, jota jaetaan dynaamisesti tarpeen mukaan. Tarvittaessa Prime-ytimet voivat Qualcommin mukaan hyödyntää koko käytettävissä olevan välimuistimäärän. Tämän pitäisi mahdollistaa suurempien tietomäärien pitäminen lähellä suoritinytimiä sen sijaan, että tietoja jouduttaisiin jatkuvasti siirtämään järjestelmämuistiin ja takaisin.

FlexCachen pitäisi vähentää keskusmuistin käyttötarvetta ja auttaa ylläpitämään suorituskykyä myös silloin, kun käytettävissä oleva muisti on rajallinen.

Qualcommin mukaan uudesta välimuistiarkkitehtuurista hyötyvät esimerkiksi agenttipohjaiset tekoälysovellukset, joissa tehtävät siirtyvät jatkuvasti ytimeltä toiselle. Jaettu välimuisti mahdollistaa saman datan säilyttämisen käytettävissä työvaiheiden vaihtuessa. Pelaamisessa paikallisen välimuistin tehokkaamman hyödyntämisen luvataan parantavan suorituskykyä ja tasoittavan ruudunpäivitystä sekä vähentävän nykimistä.

Myös moniajon pitäisi nopeutua, sillä tietojen siirtyminen ytimestä toiselle ei tarkoita välimuistin osalta kokonaan alusta aloittamista. Videoeditoinnissa puolestaan esimerkiksi videon purkamisen, efektien ja viennin eri työvaiheiden data voidaan pitää lähempänä suorittimen ytimiä.

Qualcommin mukaan se aikoo esitellä uuden piirinsä grafiikkasuorittimen ja NPU-neuroverkkolaskentayksikön uudistuksia tulevien viikkojen aikana.

Lopulta kokonaisuudessaan seuraavan sukupolven Snapdragon-huippupiirit esitellään Snapdragon Summitissa, jonka jälkeen ensimmäisiä älypuhelimia uusilla piireillä varustettuna odotetaan julkistettavaksi ainakin Kiinan markkinoille syyskuun lopulta alkaen.

Molempien Snapdragon 8 Elite Gen 6 -piirien odotetaan olevan valmistettu TSMC:n 2 nanometrin N2P-valmistusprosessilla. Huhun mukaan erot kahden eri version väliltä löytyisivät kellotaajuuksista ja erityisesti grafiikkasuorittimen suorituskyvystä. Lisäksi vain parempi versio on tuomassa uutuutena tuen suorituskykyisemmälle LPDDR6-käyttömuistille, jonka lisäksi tuettuna olisi edelleen myös vanhempi (ja edullisempi) LPDDR5X. Molemmista versioissa yksi uudistus voi lisäksi olla tuki suorituskykyisemmälle UFS 5.0 -tallennusmuistille.

Vuotaneen teknisen kaavion perusteella ainakin paremmassa versiossa näytetään käytettävän Package-on-Package (PoP) -suunnittelua, jossa muistipiirit on pinottu suorittimen läheisyyteen sekä Samsungin kehittämää HPB- eli Heat Pass Block -ratkaisua jäähdytyksen tehostamiseksi.

Paljastuneiden tietojen mukaan Snapdragon 8 Elite Gen 6:n mallikoodi on SM8950 ja mahdollisen Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6:n SM8975.

Yksi syy Qualcommin päätökseen tuoda tarjolle kaksi Snapdragon 8 Elite Gen 6 -versiota saattaa löytyä kustannuksista. Yhdessä uuden käyttömuistin kanssa parempi versio voi tarkoittaa parhaimpien huippupuhelinten selvää kallistumista, erityisesti nykyisessä markkinatilanteessa, jolloin Snapdragon 8 Elite Gen 6 voi tarjota hieman huokeamman vaihtoehdon.

Snapdragon 8 Elite Gen 6 -piirien itsessäänkin odotetaan olevan entistä kalliimpia uuden valmistusprosessin myötä, minkä lisäksi myös muistien hinnoissa on nähty vahvaa nousua.

Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla