Qualcomm sai vasta marraskuun puolivälissä julkistettua uuden huippuluokan Snapdragon 8 Gen 2 -järjestelmäpiirinsä, mutta huhuissa katseet ovat kääntyneet jo sitä seuraavaan sukupolveen.
Tuoreen taiwanilaisraportin mukaan tulevan Snapdragon 8 Gen 3:n valmistus jakautuisi taiwanilaiselle TSMC:lle ja korealaiselle Samsungille.
MAINOS (ARTIKKELI JATKUU ALLA)
Samsung valmisti Qualcommille Snapdragon 888 ja Snapdragon 8 Gen 1 -järjestelmäpiirit, mutta Snapdragon 8+ Gen 1:ssä Qualcomm vaihtoi valmistuskumppania TSMC:hen, joka kantaa ainakin päävastuun myös Snapdragon 8 Gen 2:n valmistuksesta.
BNext-julkaisu kertoo Samsung Foundryn valmistavan joitakin Snapdragon 8 Gen 3 -järjestelmäpiireistä 3 nanometrin GAAFET-prosessilla. Pääosan Snapdragon 8 Gen 3 -järjestelmäpiireistäkin tulee valmistamaan kuitenkin TSMC 3 nanometrin FinFET-prosessillaan.
TSMC:n 3 nanometrin prosessin kerrotaan yltävän jopa 75-80 prosentin saantoihin, kun taas Samsungin prosessi yltää nyt 60-70 prosenttiin. Raportoidusti Samsung pääsi aluksi vain 20 prosentin saantoon ennen yhteistyötään yhdysvaltalaisen Silicon Frontline Technologyn kanssa.
MAINOS (ARTIKKELI JATKUU ALLA)
Samsungille haasteita on aiheuttanut sen ensimmäisenä käyttöön ottama kehittyneempi GAAFET-prosessi. Sen kanssa valmistus on vaikeampaa, mutta lopputuloksena piirit ovat energiatehokkaampia ja lämpiävät vähemmän.
Muista yhtiöistä Applen odotetaan jatkavan TSMC:n asiakkaana tulevien 3 nanometrin piiriensä osalta.
Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla
Salasana hukassa?
Etkö ole vielä rekisteröitynyt? Rekisteröidy tästä »