Näin tulevat huippupuhelimet tuntuvat entistäkin vikkelämmiltä – Samsung aloitti UFS 3.1 -tallennusmuistien massatuotannon

Älypuhelimissa käytettävä tallennusmuisti on viime vuodesta alkaen olla aiempaa nopeampaa UFS 3.0 -tyyppiä. Nyt siitäkin ollaan kuitenkin jälleen ottamassa merkittävä askel eteenpäin, kun Samsung on kertonut aloittaneensa UFS 3.1 -version muistipiirien massatuotannon 512 gigatavun tallennuskapasiteetilla.

Samsungin mukaan sen uusi 512 gigatavun eUFS 3.1 -muistipiiri tullaan näkemään osana tulevia lippulaivaälypuhelimia.

Suorituskykyparannus UFS 3.1:ssä ei ole aivan mitätön verrattuna UFS 3.0:een: Samsung lupaa uudelle muistipiirilleen jopa kolminkertaisen kirjoitusnopeuden – ja samalla rikki on mennyt myös 1 gigatavu / sekunnissa -raja suorituskyvyn osalta.

Samsungin 512 gigatavun eUFS 3.1 -piiri tukee jopa 1 200 megatavun sekventaalista kirjoitusnopeutta sekunnissa. Samsung vertailee tätä SATA-väylällä varustetun PC-tietokoneen 540 megatavuun sekunnissa tai UHS-I-tyypin microSD-muistikorttien 90 megatavuun sekunnissa.

Suurempi kirjoitusnopeus parantaa käyttökokemusta esimerkiksi suuria kuva- tai videotiedostoja käsiteltäessä. Esimerkkinä Samsung mainitsee, että UFS 3.1 -tallennusmuistillinen älypuhelin siirtää 100 gigatavua tietoa vain 1,5 minuutissa, kun UFS 3.0 -puhelimilla eli nykyisillä huippupuhelinmalleilla, sama operaatio vie vielä yli neljä minuuttia.

Myös satunnaisten luku- ja kirjoitusoperaatioiden suorituskyky UFS 3.1:ssä parantuu jopa 60 prosentilla UFS 3.0:sta.

512 gigatavun ohella Samsung tarjoaa UFS 3.1 -muistipiiriään myös pienemmissä 256 ja 128 gigatavun versioissa älypuhelimiin myöhemmin tänä vuonna.

Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla