5 nanometrin piirit tulossa älypuhelimiin ensi vuonna – taas lisää tehoa luvassa

Monien järjestelmäpiirien valmistuksesta vastaavana kumppanina toimiva taiwanilainen TSMC on kertonut saaneensa valmiiksi 5 nanometrin tuotantoprosessin suunnittelunsa. Ensimmäisiä 5 nanometrin tuotantoprosessilla valmistettuja järjestelmäpiirejä odotetaan älypuhelimiin ensi vuonna.

Tuotantoprosessissa käytetty pienempi viivanleveys supistaa yleisesti virrankulutusta sekä vähentää lämmöntuotantoa, mahdollistaen suorituskyvyn nostamisen myös korkeammin kellotaajuuksin. Lisäksi pienempi pakkaus voi mahdollistaa myös pienikokoisemmat järjestelmäpiirit ja näin tilansäästön puhelimissa.

TSMC:n mukaan verrattuna sen 7 nanometrin tuotantoprosessiin, siirtyminen 5 nanometriin mahdollistaa 80 prosenttia suuremman transistoritiheyden sekä 15 prosentin nopeusparannuksen mitattuna ARMin Cortex-A72-mallin suoritinytimellä. Lisäksi tuotantoprosessin päivitys tuo myös muita arkkitehtuuriparannuksia.

5 nanometrin tuotantoprosessin suunnittelun valmistuminen TSMC:llä merkitsee käytännössä sitä, että järjestelmäpiirisuunnittelijat voivat puolestaan perustaa omat suunnitelmansa piireistään lukkoon lyötyjen ”perustusten” pohjalle.

Osana 5 nanometrin tuotantoprosessia käytössä valmistuksessa on myös Extreme Ultra Violet (EUV) -tekniiikka, eli käytännössä aallonpituudeltaan tavallista ultraviolettisäteilyä pienempi aallonpituus, jonka ansiosta transistoreja voidaan myös pakata aiempaa tiheämmin osaksi piiriä. EUV on tulossa käyttöön ensin tänä vuonna uusissa järjestelmäpiireissä parannetuissa 7 nanometrin prosesseissa.

Ainakin Applen odotetaan ottavan käyttöön 5 nanometrin tuotantoprosessin vuonna 2020 omassa seuraavan sukupolven A-sarjan järjestelmäpiirissään. Qualcommin sykli huippupiirien osalta antaisi odottaa sen siirtyvän 5 nanometriin alkuvuodesta 2021. Huawei voi Applen tavoin käyttää 5 nanometriä jo loppuvuodesta 2020.

Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla