Uusiin Android-huippupuhelimiin luvassa rutkasti lisätehoa – näin Snapdragon 855 pärjää testeissä

Qualcomm Snapdragon 855:n koko vertailussa kolikkoon.

Qualcomm julkisti joulukuun alussa Snapdragon 855 -järjestelmäpiirin, joka löytynee monista Android-huippupuhelimista tänä vuonna. Qualcommin mukaan Snapdragon 855:n suorituskyky peruslaskennassa on jopa 45 prosenttia edeltävää Snapdragon 845:tä parempi. Tuoreiden testien perusteella suorituskykyloikka onkin suuri ja se haastaa tasaväkisesti Applen A12 Bionic -järjestelmäpiirin, joka löytyy viime vuonna esitellyistä iPhone-puhelimista.

Geekbench 4:n yhden ytimen testissä Snapdragon 855:llä varustettu laite sai 3 536 pistettä ja moniydintestissä 11 019 pistettä. Qualcommin Snapdragon 845:llä varustetuilla laitteilla vastaavat pistemäärät olivat 2 500 ja 8 500-9 000 pisteen tuntumassa.

AnTuTu-testiohjelmassa Snapdragon 855 keräsi 360 216 pistettä. Snapdragon 845:llä varustetuilla puhelimilla pisteet pyörivät 260 000-300 000 pisteen tuntumassa. Muillakin testiohjelmilla suoritetuissa testeissä suorituskykyero oli huomattava. Tulokset julkaisi AndroidPolice.

Tom’s Guide kokeili myös Snapdragon 855 -laitetta ja asetti myös tuoreen iPhone XS:n sitä vastaan. GeekBench 4:n moniydintestissä Snapdragon 855 sai 11 196 pistettä, eli hieman enemmän kuin AndroidPolicen tuloksissa, mutta hävisi niukasti A12 Bionic -järjestelmäpiirille sen kerätessä 11 420 pistettä. Huawei Mate 20 Pro Kirin 980 -piireineen sai 9 973 pistettä.

Grafiikkasuorituskyky näyttäisi olevan kunnossa Snapdragon 855:n Adreno 640 -grafiikkasuorittimella. Grafiikkasuorituskykyä testaavassa 3DMark Slingshot Extreme -testissä Snapdragon 855 sai 5 603 pistettä. iPhone XS ja A12 Bionic jäivät kauas taakse 3 660 pisteellään. OnePlus 6T ja Snapdragon 845 keräsivät 4 596 pistettä, kun taas Kirin 980:lla varustettu Huawei Mate 20 Pro sai 4 102 pistettä.

Testeissä käytetty laite oli Qualcommin esittelylaite, jossa oli Snapdragon 855 -järjestelmäpiiri, kuusi gigatavua RAM-muistia ja 5,99 tuuman AMOLED-näyttö 2880 x 1440 pikselillä.

7 nanometrin tuotantoprosessilla valmistettava Snapdragon 855 sisältää yhteensä kahdeksan keskussuoritinydintä. Qualcommin kustomoimat Kryo 485 -ytimet jakautuvat kolmeen klusteriin. Terävintä huipputehoa tarjoaa 2,84 gigahertsiin kellotettu yksittäinen ydin. Sen rinnalla on lisäksi kolme suorituskykyisempää tehoydintä 2,42 gigahertsin kellotaajuudella sekä neljä vähävirtaisempaa ydintä 1,8 gigahertsin kellotaajuudella. Vähävirtaiset ytimet perustuvat ARM Cortex-A55 -pohjalle ja tehoytimet ARM Cortex-A76 -pohjalle.

Grafiikkasuorittimena puolestaan on nyt Adreno 640, jonka tarjoama teholisäys aiempaan nähden on 20 prosenttia. Grafiikkasuoritin tukee nyt myös Vulkan 1.1 -rajapintaa sekä HDR10+ / HDR / Dolby Vision -toistoa.

Snapdragon 855:ssä on panostettu myös tekoälyyn. Suorituskyky on tältä osin kolminkertaistunut edeltäjästä uuden Qualcomm AI Enginen sekä Hexagon 690 DSP:n voimin.

Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla