Snapdragon 8 Elite Gen 5? Qualcommin uusi kärkipiiri voi saada yllättävän nimen – paljastui myös suorituskykytestistä seuraavassa OnePlus-huippupuhelimessa

Qualcommin pian julkistettava uusi huippuluokan älypuhelimiin suunnattu järjestelmäpiiri voi saada yllättävän nimen.

Qualcommin odotetaan julkistavan Snapdragon 8 Eliten seuraajan 23.-25. syyskuuta Snapdragon Summit -tapahtumassa.

Tähän asti uuden kärkipiirin nimen on odotettu olevan loogisesti Snapdragon 8 Elite Gen 2 tai Snapdragon 8 Elite 2 seuraajana nykyiselle Snapdragon 8 Elitelle.

Qualcomm muutti huippupiirinsä nimeämistä Snapdragon 8 Eliten yhteydessä siirtyessään oman suunnittelun Oryon-keskussuoritinytimiin. Ennen Snapdragon 8 Eliteä Qualcommin huippupiirejä olivat Snapdragon 8 Gen 3, Snapdragon 8 Gen 2 ja Snapdragon 8.

Nyt nimimerkillä Digital Chat Station esiintyvä tunnettu ja varsin luotettava vuotaja on kertonut Qualcommin tulevan SM8550-mallikoodin huippupiirin voivan saada nimekseen Snapdragon 8 Elite Gen 5.

Äkkiseltään nimi voi hämmästyttää, mutta sille on myös looginen selitys.

Snapdragon 8 Elite Gen 5:n lisäksi Qualcommilta nimittäin odotetaan myös toista uutta Snapdragon 8 -sarjan piiriä, joka voi saada nimekseen Snapdragon 8 Gen 5. Tässä kyseessä on SM8445-mallikoodin piiri, jonka suorituskyvyn odotetaan olevan hieman terävimmän kärjen huippupiiriä heikompi.

Qualcommin odotetaan julkistavan Snapdragon 8 -sarjan huippupiirinsä – mahdollisesti molemmat – 21.-23. syyskuuta järjestettävän Snapdragon Summit -tapahtuman yhteydessä. Pian tämän jälkeen odotetaan useiden uusien huippuluokan älypuhelinten lanseerauksia Kiinan markkinoilta alkaen.

Qualcommin uudella huippupiirillä, mahdollisella Snapdragon 8 Elite Gen 5:llä, varustettuihin puhelimiin tulee lukeutumaan myös OnePlussan seuraava huippupuhelin, joka on saamassa huhujen mukaan nimekseen OnePlus 15.

OnePlussan uusi huippupuhelin PLK110-mallikoodilla on nyt paljastunut GeekBench-suorituskykytestistä, jonka mukaan järjestelmäpiiri sisältää kaksi huipputehoydintä 4,61 gigahertsin ja kuusi tehoydintä 3,63 gigahertsin kellotaajuudella. Lisäksi osana piiriä on Adreno 840 -grafiikkasuoritin.

Kellotaajuudet ja muut optimoinnit piirillä eivät välttämättä ole vielä lopulliset. Kunnollisia testituloksia laitteella ei vielä saavutettu.

Muuten GeekBenchissä testatussa puhelimessa oli 16 gigatavua RAM-käyttömuistia ja Android 16 -käyttöjärjestelmäversio.

Aiemmin elokuussa GeekBenchistä paljastui myös mahdollinen Samsung Galaxy S26 Edge, jonka odotetaan olevan varustettu Qualcommin uuden huippupiirin for Galaxy -versiona. Aiemmissa sukupolvissa nähdyllä tavalla tämän odotetaan tarjoavan korkeammalle kellotetut huipputehoytimet, ja GeekBenchissä testatussa puhelimessa kahden huipputehoytimen kellotaajuus olikin 4,74 gigahertsiä.

OnePlussan lisäksi ensimmäisten joukossa uuden sukupolven huippupuhelimia odotetaan esimerkiksi Xiaomilta ja Honorilta. Samsungin sen sijaan odotetaan esittelevän Galaxy S26 -uutuutensa vasta vuoden 2026 puolella.

Huhujen mukaan lopullisessa kunnossaan Qualcommin uuden huippupiirin odotetaan yltävän GeekBench 6 -testissä noin 4 000 pisteeseen yhden ytimen ja 11 000 pisteeseen useamman ytimen osalta.

OnePlus PLK110 GeekBenchissä.

Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla