Qualcommin seuraavan sukupolven huippupiirin julkistus tulee tapahtumaan tänä vuonna jo syyskuun lopulla, kertoo luotettavista paljastuksistaan tunnettu vuotaja, joka esiintyy nimimerkillä Digital Chat Station.
Viime vuonna Qualcomm julkisti Snapdragon 8 Eliten 21. lokakuuta 2024, joten ajankohta on jälleen hieman aikaistumassa.
MAINOS (ARTIKKELI JATKUU ALLA)
Julkistuksensa jälkeen ensimmäisenä Qualcommin uusi huippupiiri nähtäneen jälleen käytössä esimerkiksi Xiaomin, OnePlussan ja Honorin uusissa huippuhelimissa – aluksi Kiinan markkinoilla jo lokakuusta alkaen.
Qualcommin seuraava huippupiiri tulee olemaan seuraaja Snapdragon 8 Elitelle, mutta mallinimestä ei ole vielä varmuutta. Uuden piirin nimeämistapa on vielä mysteeri, kun Qualcomm uudisti nimeämistään Snapdragon 8 Eliten yhteydessä. Nähtäväksi jää, tuleeko uusi piiri saamaan nimekseen yksinkertaisesti Snapdragon 8 Elite 2 vai jotakin muuta.
MAINOS (ARTIKKELI JATKUU ALLA)
Snapdragon 8 Elite 2:n odotetaan hyödyntävän Qualcommin seuraavan sukupolven Oryon-ytimiä ja suorituskykyparannuksen olevan jopa 25 prosentilla Snapdragon 8 Eliteen verrattuna.
Jo maaliskuussa paljastunut GeekBench-suorituskykytesti paljasti, että Snapdragon 8 Elite 2:n yhden ytimen testitulos voi nousta 4 000 pisteeseen ja useamman ytimen testitulos 13 000 pisteeseen. Kummaltakin osin parannus Snapdragon 8 Elitestä on noin neljänneksen luokkaa.
Tiettävästi Snapdragon 8 Elite 2 sisältää edelleen kaksi Prime-huipputehoydintä ja kuusi Performance-tehoydintä.
Myös graafinen suorituskyky on kerrotun mukaan ottamassa merkittävän harppauksen eteenpäin. Uuden sukupolven grafiikkasuorittimen oma välimuisti on kasvamassa 12 megatavusta 16 megatavuun, minkä pitäisi auttaa osaltaan nostamaan grafiikkasuorituskykyä jopa 30 prosenttia.
MAINOS (ARTIKKELI JATKUU ALLA)
Mielenkiintoisena uudistuksena Qualcommin tuleva huippupiiri tulee tukemaan nykyisin yleisen LPDDR5X:n lisäksi myös LPDDR6-tyypin RAM-käyttömuistia. LPDDR6 tarjoaa huomattavasti suuremman tiedonsiirtonopeuden – jopa 14,4 Gbit/s verrattuna LPDDR5X:n yleiseen 8,533 Gbit/s -nopeuteen.
Seuraavan Snapdragon-huippupiirin valmistus tulee tapahtumaan TSMC:n kolmannen sukupolven 3 nanometrin N3P-prosessilla. TSMC:n odotetaan ajavan ylös myös 2 nanometrin prosessiaan, mutta Qualcomm jatkaa mahdollisen Snapdragon 8 Elite 2:n kanssa vielä edullisemmalla 3 nanometrin prosessilla.
Laajamittaisemmin Suomen markkinoille Snapdragon 8 Elite 2 -puhelimia on odotettavissa alkuvuodesta 2026, jolloin myös Samsungin odotetaan hyödyntävän järjestelmäpiiriä Galaxy S26 -puhelimissa.
Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla
Salasana hukassa?
Etkö ole vielä rekisteröitynyt? Rekisteröidy tästä »