Samsungin puolijohdevalmistus ongelmissa – vaikutus näkyy tulevien Galaxy S25 -huippupuhelinten järjestelmä- ja muistipiirivalinnoissa

Samsungin puolijohdevalmistus takkuilee. Vaikutukset näkyvät korealaisjätin tulevissa Galaxy S25 -huippupuhelimissa.

Raportoidusti Samsungin suunnitelmana oli alun perin käyttää yhtiön omaa Exynos 2500 -järjestelmäpiiriä osin Galaxy S25 -puhelimissa, mutta sen joutuneen luopumaan näistä suunnitelmista Samsungin oman piirivalmistuksen heikkojen saantojen vuoksi. Sen sijaan Galaxy S25 -puhelimiin odotetaan TSMC:n valmistamaa Qualcommin Snapdragon 8 Elite -piiriä.

Nyt viimeisin raportti kertoo järjestelmäpiirin ohella Samsungin turvautuneen uudenlaiseen ratkaisuun myös muistipiirien osalta.

Korealainen Heraldcorp raportoi, että ensi kerran yhdysvaltalaisyhtiö Micron tulee olemaan pääasiallinen DRAM-muistipiirien toimittaja Samsungin huippupuhelimiin Galaxy S25 -sarjassa Samsung Semiconductorin sijaan.

Micron on aiemminkin toiminut Samsungin rinnalla toisena toimittajana.

Samsung tunnetaan johtavana muistipiirien valmistajana, mutta oman leirin teknologiaa ei nähty Samsungin mobiililiiketoiminnassa eli Mobile eXperience -yksikössä nyt enää riittävän kilpailukykyisenä. Samsungin muistipiirien suorituskyky kärsii ylikuumenemisesta, kertovat lähteet. Lisäksi myös muistipiirien tuotantoon on vaikuttanut heikko saanto eli tuotantoprosessin toiminta ei ole yltänyt tavoitetasolle.

Micronin vuonna 2022 esitellyn 1β-valmistusprosessin on todettu olevan Samsungin viidennen sukupolven 10 nanometrin luokan tuotantoprosessia (1b) edellä.

Samsungin odotetaan julkistavan uudet Galaxy S25 -sarjan huippupuhelimensa 22. tammikuuta.

Lue lisää tulevista Galaxy S25 -sarjalaisista aiemmasta artikkelistamme!

Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla