Huhu: Qualcommin Snapdragon 8 Gen 3 -järjestelmäpiiristä tulossa versio myös TSMC:n 3 nanometrin prosessilla

Snapdragon 8 Gen 3:n versiot voidaan valmistaa TSMC:n eri prosesseilla.

Qualcommin odotetaan julkistavan seuraavan sukupolven huippuluokan Snapdragon 8 Gen 3 -järjestelmäpiirinsä Snapdragon Summit -tapahtumassa lokakuun lopulla, 24.-26. lokakuuta.

Snapdragon 8 Gen 3:n julkaisu on tapahtumassa muutamia viikkoja tavallista varhaisemmassa vaiheessa vuotta. Ensimmäisiä Snapdragon 8 Gen 3 -puhelimia odotetaan markkinoille loppuvuoden 2023 aikana. Nähtäväksi jää, tapahtuvatko lanseeraukset Euroopan markkinoille kuitenkin jälleen vasta alkuvuodesta 2024.

Valmistusprosessin osalta Snapdragon 8 Gen 3:n on odotettu siirtyvän parannettuun TMSC:n 4 nanometrin prosessiin (N3P), muttei vielä 3 nanometriin.

Nyt tuoreimmat huhut kuitenkin kertovat, että Snapdragon 8 Gen 3:sta myöhemmin odotettu päivitetty versio, mahdollinen Snapdragon 8+ Gen 3, valmistettaisiin TSMC:n 3 nanometrin prosessilla (N3E).

Etelä-Koreasta on kantautunut tietoja keskusteluista, joita Qualcommilla on ollut laitevalmistajakumppaniensa kanssa Snapdragon 8 Gen 3:n kahteen versioon liittyen. Niissä mainitaan myös TSMC:n 3 nanometrin prosessilla valmistettu versio. Toistaiseksi ensimmäinen ja ainoa 3 nanometrin järjestelmäpiiri on iPhone 15 Pro -puhelimissa esitelty Apple A17 Pro.

Toteutuessaan 3 nanometrin versiota Snapdragon 8 Gen 3:sta voitaneen odottaa jossakin vaiheessa vuoden 2024 aikana, johtuen jo pelkästään siitä, että tiettävästi Apple on varannut aluksi TSMC:n koko 3 nanometrin tuotantokapasiteetin.

Jo aiempien paljastusten mukaan Snapdragon 8 Gen 3 tulee sisältämään uudistuneen ydinrakenteen verrattuna Qualcommin aiempiin huippupiireihin. Arm Cortex-X -sarjan huipputehoytimiä on edelleen yksi, mutta 7-sarjan tehoytimiä yhteensä viisi kappaletta. Nämä on kuitenkin raportoidusti jaettu kahteen osaan – kolme ”gold”-ydintä ja kaksi ”titanium”-ydintä. Toistaiseksi ei ole tietoa, eroavatko ja miten nämä kaksi osaa ytimistä jotenkin, esimerkiksi kellotaajuuksiltaan tai välimuistiltaan. Kokonaisuuden täydentävät kaksi 5-sarjan säästöydintä.

Yhteensä Snapdragon 8 Gen 3 tulee siis sisältämään yhä kahdeksan keskussuoritinydintä. Yhden huipputehoytimen rinnalla tulee kuitenkin olemaan viisi tehoydintä ja kaksi säästöydintä, kun Snapdragon 8 Gen 2:ssa tehoytimiä on neljä ja säästöytimiä kolme kappaletta.

Arm esitteli toukokuun lopulla uudet suoritinytimensä Cortex-X4:n, Cortex-A720:n ja Cortex-A520:n, joiden pitäisi tulla käyttöön Snapdragon 8 Gen 3:ssa.

Lisäksi Snapdragon 8 Gen 3 sisältää uuden Adreno 750 -grafiikkasuorittimen.

Lisäksi Snapdragon 8 Gen 3:n odotetaan sisältävän integroituna Qualcommin jo 15. helmikuuta julkistaman uuden 5G-modeemin Snapdragon X75:n. Qualcomm itsekin on jo vahvistanut, että Snapdragon X75 tullaan näkemään ensimmäisissä älypuhelimissa vielä loppuvuoden 2023 aikana.

Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla