Huhu: Qualcommin seuraavan sukupolven huippupiiri Snapdragon 8 Gen 3 voi tulla jälleen jo hieman varhaisemmassa vaiheessa vuotta

Ensimmäiset Snapdragon 8 Gen 2 -järjestelmäpiirillä varustetut huippupuhelimet ovat vasta pikku hiljaa alkaneet saapua Suomen markkinoille OnePlus 11:n ja Samsungin Galaxy S23 -puhelinten muodossa. Huhuissa katseet ovat kääntyneet jo kuitenkin Snapdragon 8 Gen 3:een.

Samsungin Galaxy S23 -puhelimissa on käytössä Snapdragon 8 Gen 2 -piiristä Samsungille räätälöity Snapdragon 8 Gen 2 for Galaxy -versio, jossa on korkeammalle kellotettu keskussuorittimen huipputehoydin sekä grafiikkasuoritin.

Nähtäväksi jää, tullaanko Qualcommilta näkemään vuoden 2023 aikana lainkaan Snapdragon 8+ Gen 2 -versiota ja millä tavalla se eroaa Snapdragon 8 Gen 2 for Galaxysta.

Vuonna 2022 Qualcomm julkisti Snapdragon 8+ Gen 1:n 20. toukokuuta ja Snapdragon 8 Gen 2:n 16. marraskuuta.

Snapdragon 8 Gen 2:n osalta läpi vuoden huhuissa oli hieman edeltävää Snapdragon 8 Gen 1 -piiriä varhaisempi aikataulu, mikä lopulta toteutuikin: Snapdragon 8 Gen 2:n julkistus marraskuun puolivälissä 2022 tapahtui paria viikkoa varhaisemmassa vaiheessa vuotta kuin Snapdragon 8 Gen 1:n edeltävänä vuonna 1. joulukuuta 2021.

Pääasiassa luotettavista paljastuksistaan tunnetun vuotajan Digital chat stationin mukaan Snapdragon 8 Gen 3:n aikataulu tulee olemaan vielä jonkin verran varhaisempi vielä Snapdragon 8 Gen 2:eenkin verrattuna. Tällä perusteella Snapdragon 8 Gen 3:n julkistusta voitaneen odotella marraskuun alkupuolella tai kenties jo lokakuun loppupuolella.

Vuotajan mukaan ensimmäiset Snapdragon 8 Gen 3:lla varustetut älypuhelimet ovat tulossa vuoden viimeisen neljänneksen aikana. Viime vuosina ensimmäiset julkistukset on nähty Kiinan markkinoille Xiaomin ja Motorolan toimesta. Nähtäväksi jää, toistuuko tämä tänäkin vuonna.

Snapdragon 8 Gen 3:sta on paljastunut luotettavista lähteistä vasta niukasti yksityiskohtia.

Valmistusprosessin osalta Snapdragon 8 Gen 3:n odotetaan siirtyvän ainakin parannettuun TMSC:n 4 nanometrin prosessiin ellei vielä 3 nanometriin.

Hiljattain nähty mahdollinen Snapdragon 8 Gen 3:n Geekbench-suorituskykytestitulos kertoi jälleen jopa 20-30 prosentin parannuksesta keskussuoritinytimen suorituskyvyssä. Huhujen mukaan Snapdragon 8 Gen 3 voisi sisältää yhden huipputehoytimen lisäksi viisi tehoydintä ja vain kaksi säästöydintä (1+5+2), eli yhden tehoytimen enemmän ja säästöytimen vähemmän kuin Snapdragon 8 Gen 2 (1+4+3).

Lisäksi Snapdragon 8 Gen 3:n odotetaan sisältävän integroituna Qualcommin jo 15. helmikuuta julkistaman uuden 5G-modeemin Snapdragon X75:n. Qualcomm itsekin on jo vahvistanut, että Snapdragon X75 tullaan näkemään ensimmäisissä älypuhelimissa vielä loppuvuoden 2023 aikana.

Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla