Vauhti kiihtyy: Qualcomm voi julkistaa seuraavan sukupolven huippuluokan Snapdragon 8 Gen 2 -järjestelmäpiirinsä jo marraskuussa

Qualcomm esitteli vasta hiljattain 20. toukokuuta Snapdragon 8 Gen 1 -huippupiirinsä seuraajaksi Snapdragon 8+ Gen 1:n, jolla varustettuna ensimmäisiä älypuhelimia odotetaan markkinoille heinäkuusta alkaen.

Nyt vuotaja nimimerkillä Digital chat station on toistanut jälleen tietonsa siitä, että seuraavan sukupolven Snapdragon 8 Gen 2:n kehitys kulkee edellä tavanomaista aikataulua, kuten myös ensimmäisen sillä varustetun Xiaomi-älypuhelimen.

Samalla vuotaja nosti esille sen, että Qualcomm järjestää loppuvuoden Snapdragon Summit -tapahtumansa tänä vuonna jo 14.-17. marraskuuta. Snapdragon 8 Gen 2:n julkistus voisi ajoittua tähän yhteyteen, minkä jälkeen ensimmäiset sillä varustetut älypuhelimet saapuisivat ainakin Kiinassa markkinoille mahdollisesti jo marraskuun aikana ja laajemmissakin määrin joulukuussa.

Tavanomaisesti Qualcomm on julkistanut Snapdragon 8 -huippupiirinsä marras-joulukuun vaihteessa, ja Kiinassa ensimmäiset älypuhelimet on nähty myynnissä tämän jälkeen joulukuussa ja sitten globaalisti alkuvuoden aikana. Esimerkiksi Xiaomi 12 ja Xiaomi 12 Pro julkistettiin 28. joulukuuta 2021, mutta tänä vuonna Xiaomi voi julkistaa Snapdragon 8 Gen 2 -puhelimensa jo marraskuussa.

Snapdragon 8+ Gen 1:n kanssa Qualcomm palasi TSMC:n valmistuspalveluiden pariin, kun Snapdragon 8 Gen 1:n valmistuksesta on vastannut Samsung.

Aiemmin vuotaja Digital chat station kertoi jo, että Qualcommin tuleva SM8550-mallikoodillinen järjestelmäpiiri tulee sisältämään mielenkiintoisen keskussuoritinytimien yhdistelmän: yhden ARM Cortex-X3 -huipputehoytimen, kaksi ARM Cortex-A720 -tehodintä ja kaksi edellisen sukupolven ARM Cortex-A710 -tehoydintä sekä kolme vähävirtaista ARM Cortex-A510 -ydintä. ARM ei ole vielä julkistanut seuraavan sukupolven suoritinytimiään, joita ARM Cortex-X3 ja Cortex-A720 edustavat.

Keskussuoritinydinten jakauma olisi siis 1+2+2+3-mallia, kun viimeisimmissä Qualcommin huippupiireissä on nähty 1+3+4-mallilla yksi huipputehoydin, kolme tehoydintä ja neljä vähävirtaisempaa ydintä.

Uudistuvan keskussuoritinkokoelman ohella Snapdragon 8 Gen 2 sisältäisi luonnollisesti uuden grafiikkasuorittimen, Adreno 740:n, verrattuna Adreno 730:een Snapdragon 8 ja 8+ Gen 1:ssä.

Tulevan Qualcommin seuraavan sukupolven huippupiirin valmistaisi jälleen TSMC, edelleen 4 nanometrin N4-tuotantoprosessillaan, jota on käytössä jo myös Snapdragon 8+ Gen 1:ssä. Piirin koodinimi on Kailua.

Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla