Maailman johtaviin muistipiirien valmistajiin kuuluva Samsung on julkistanut uuden UFS 4.0 -version mukaisen flash-tallennusmuistinsa, jonka myötä jatkossa älypuhelinten tallennusmuistin suorituskyky ottaa jälleen harppauksen eteenpäin.
Samsungin mukaan UFS 4.0 -tallennusmuistin tiedonsiirtonopeus yltää 23,2 gigabittin sekunnissa muistiväylää kohden, mikä on tuplasti verrattuna edeltävään UFS 3.1 -versioon. Esimerkiksi useimmissa Android-huippupuhelimissa käytetään tällä hetkellä juuri UFS (Universal Flash Storage) 3.1 -tallennusmuistia.
Yhdessä Samsungin 7. sukupolven V-NANDin ja muistiohjaimen kanssa, UFS 4.0 tarjoaa peräkkäisen lukunopeuden 4 200 megatavua sekunnissa ja peräkkäisen kirjoitusnopeuden 2 800 megatavua sekunnissa.
MAINOS (ARTIKKELI JATKUU ALLA)
Parantuneen suorituskyvyn ohella UFS 4.0 -tallennusmuisti tuo parannuksia myös virrankulutuksen osalta. Samsungin mukaan peräkkäisissä lukuoperaatioissa energiatehokkuus on parantunut 46 prosentilla UFS 3.1 -muisteihin verrattuna.
UFS 4.0 mahdollistaa myös pienemmän koon. Samsungin mukaan UFS 4.0 -moduulin koko on maksimissaan 11 x 13 x 1 millimetriä, joka on pienempi kuin 512 gigatavun UFS 3.1 -moduuli (11,5 x 13 x 1,0 millimetriä), vaikka tarjolle UFS 4.0 -muistipiirit ovat tulossa eri kapasiteetteina aina 1 teratavuun asti.
Samsungin mukaan UFS 4.0 -muistien massatuotanto on alkamassa suunnitelmien mukaan vuoden 2022 kolmannella neljänneksellä eli heinä-syyskuun aikana. Käytännössä tämä tarkoittanee uuden version muistien ilmestymistä ensimmäisiin älypuhelimiin ja muihin laitteisiin ainakin laajemmissa määrin vuoden 2023 aikana.
Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla
Salasana hukassa?
Etkö ole vielä rekisteröitynyt? Rekisteröidy tästä »