Qualcomm on julkistanut uuden Snapdragon Wear 4100 -piirin, joka on suunniteltu erityisesti Wear OS -älykelloihin. Kyse on merkittävästä päivityksestä, sillä yhtiön aikaisempi Wear 3100 -piiri on peräisin vuodelta 2018 ja on lähes identtinen vieläkin vanhemman Wear 2100 -piirin kanssa. Suurimpana erona Wear 2100 ja Wear 3100 piireissä on jälkimmäisen pienempi virrankulutus näytön ollessa päällä pitkäkestoisesti.
Wear 4100 -piirin myötä Qualcomm tuo tarjolle joukon parannuksia, sisältäen siirtymän 28 nanometrin tekniikasta 12 nanometrin tekniikkaan. Muutoksen myötä piirin akkukeston on määrä parantua 25 prosenttia, minkä lisäksi piiri on yleisesti ottaen nopeampi. Neliytimisen A53-suorittimen on määrä tarjota 85 prosenttia enemmän tehoa ja Adreno 504 -grafiikkasuorittimen on tarkoitus olla jopa 2,5 kertaa tehokkaampi. Lisäksi myös uusi LPDDR3-muisti parantaa suorituskykyä.
MAINOS (ARTIKKELI JATKUU ALLA)
Tavallisen Wear 4100 -piirin lisäksi Qualcomm esitteli myös Wear 4100+ -piirin. Erona tavalliseen Wear 4100 -piiriin on QCC1110-rinnakkaissuoritin, jota voidaan hyödyntää esimerkiksi unen ja sykkeen seurannassa. Rinnakkaispiirin suurin hyöty on pienempi virrankulutus, jolloin sitä voidaan hyödyntää vähemmän vaativissa tehtävissä paremman akkukeston saavuttamiseksi.
Muiden ominaisuuksien ohella Wear 4100 ja Wear 4100+ saavat tuen pienemmän virrankulutuksen 4G LTE -yhteyksille. Lisäksi kameroiden osalta piirit tukevat jatkossa jopa 16 megapikselin tarkkuudella toimivia kennoja.
Wear 4100+ -suorittimen suurin ero tavalliseen Wear 4100 -suorittimeen on matalamman virrankulutuksen QCC1110-rinnakkaissuoritin (kuvassa alhaalla).
Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla
Salasana hukassa?
Etkö ole vielä rekisteröitynyt? Rekisteröidy tästä »