Qualcomm on julkistanut uuden Snapdragon 835 -järjestelmäpiirin, joka tulee löytämään tiensä uusien huippuälypuhelinten sisuksiin ensi vuoden aikana.
Piirien valmistuksesta tulee vastaamaan Samsung uudella 10 nanometrin FinFET-tuotantoprosessilla.
Uusi Snapdragon 835 seuraa Qualcommin Snapdragon 820:tä ja 821:tä sen tehokkaimpana järjestelmäpiirinä älypuhelimiin. Qualcommin mukaan Snapdragon 835 tulee löytymään markkinoille tulevista laitteista jo vuoden 2017 ensimmäisen puoliskon aikana.
MAINOS (ARTIKKELI JATKUU ALLA)
Snapdragon 835:n rinnalla tulee Qualcommin uusi aiempaa nopeampi Quick Charge 4.0 -pikalataus, joka lupaa ladata tavanomaiseen älypuhelimen akkuun 5 tuntia lisää käyttöaikaa vain 5 minuutissa.
”10 nanometrin prosessin käyttämisen odotetaan mahdollistavan premium-tason Snapdragon 835 -suorittimemme tarjoavan pienemmän virrankulutuksen sekä nostavan suorituskykyä mahdollistaen samalla meidän lisäävän joukon kykyjä, jotka voivat parantaa huomisen laitteiden käyttökokemusta”, sanailee Qualcomm Technologiesin tuotehallinnasta vastaava johtaja Keith Kressin.
Samsung siirtyy valmistajista ensimmäisenä massatuotantoon 10 nanometrin FinFET-tuotantoprosessissa. Samsungin 14 nanometrin prosessiin nähden 10 nanometriin siirtyminen mahdollistaa 27 prosenttia korkeamman suorituskyvyn ja 40 prosenttia pienemmän virrankulutuksen. Lisäksi piirin pinta-alatehokkuus kasvaa 30 prosenttia, joten Snapdragon 835 -piirikin voi olla aiempaa pienempi jättäen Qualcommin mukaan enemmän tilaa suuremmille akuille tai mahdollistaen ohuemman rakenteen älypuhelimissa.
MAINOS (ARTIKKELI JATKUU ALLA)
Snapdragon 835:ssä käyttöön otetun tuotantoprosessin ja muiden parannusten odotetaan tuovan merkittävän parannuksen akkukestoon.
Qualcomm ei ole vielä paljastanut muita yksityiskohtia uudesta Snapdragon 835 -piiristään.
Mainos: Noin 1 600 000 tuotteen hintavertailu ja hintaseuranta - katso Hinta.fistä mistä saat halvimmalla
Salasana hukassa?
Etkö ole vielä rekisteröitynyt? Rekisteröidy tästä »